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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single DMN2005UFG-7

DMN2005UFG-7

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Numero de parte
DMN2005UFG-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DMN2005UFG-7.pdf
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Numero de parte
DMN2005UFG-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
18.1A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
164nC @ 10V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
6495pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.05W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerDI3333-8
Paquete / Caja
8-PowerWDFN

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