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FDMT800120DC

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Numero de parte
FDMT800120DC
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 120V 20A/129A
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FDMT800120DC.pdf
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$3.57500

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Numero de parte
FDMT800120DC
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 120V 20A/129A
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
120V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
20A (Ta), 129A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.14 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
107nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
7850pF @ 60V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
3.2W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-Dual Cool™88
Paquete / Caja
8-PowerVDFN

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