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DMN10H170SVT-13

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Numero de parte
DMN10H170SVT-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DMN10H170SVT-13.pdf
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Numero de parte
DMN10H170SVT-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
2.6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
9.7nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1167pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TSOT-26
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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