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IXTA180N085T7

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Numero de parte
IXTA180N085T7
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXTA180N085T7.pdf
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Numero de parte
IXTA180N085T7
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
85V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
180A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
7500pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
430W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263-7 (IXTA..7)
Paquete / Caja
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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