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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single NVMFSW6D1N08HT1G

NVMFSW6D1N08HT1G

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Numero de parte
NVMFSW6D1N08HT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
T8 80V 1 PART PROLIFERATI
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.74382
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$0.74382

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Numero de parte
NVMFSW6D1N08HT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
T8 80V 1 PART PROLIFERATI
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
17A (Ta), 89A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 120µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2085pF @ 40V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
3.8W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN, 5 Leads

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