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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single DMP2006UFG-13

DMP2006UFG-13

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Numero de parte
DMP2006UFG-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DMP2006UFG-13.pdf
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Numero de parte
DMP2006UFG-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
17.5A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Vgs (Max)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
7500pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerDI3333-8
Paquete / Caja
8-PowerWDFN

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