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TSM1N80CW RPG

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Numero de parte
TSM1N80CW RPG
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
TSM1N80CW RPG.pdf
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Numero de parte
TSM1N80CW RPG
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
300mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21.6 Ohm @ 150mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
200pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-223
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA

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