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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single APT18M80B

APT18M80B

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Numero de parte
APT18M80B
Fabricante
Microsemi
Descripción
MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$8.75000
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$8.75000

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Numero de parte
APT18M80B
Fabricante
Microsemi
Descripción
MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
19A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
530 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3760pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
500W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247 [B]
Paquete / Caja
TO-247-3

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