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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXKH35N60C5

IXKH35N60C5

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Numero de parte
IXKH35N60C5
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXKH35N60C5.pdf
Total:$7.11367
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$7.11367

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Numero de parte
IXKH35N60C5
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
35A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.9V @ 1.2mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2800pF @ 100V
Característica FET
Super Junction
Disipación de potencia (max)
-
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247AD (IXKH)
Paquete / Caja
TO-3P-3 Full Pack

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