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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FDD2570

FDD2570

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Numero de parte
FDD2570
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 150V 4.7A D-PAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FDD2570.pdf
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Numero de parte
FDD2570
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 150V 4.7A D-PAK
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
150V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4.7A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1907pF @ 75V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
3.2W (Ta), 70W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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