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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPI037N08N3GXKSA1

IPI037N08N3GXKSA1

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Numero de parte
IPI037N08N3GXKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 80V 100A
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPI037N08N3GXKSA1.pdf
Total:$2.14354
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$2.14354

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Numero de parte
IPI037N08N3GXKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 80V 100A
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.75 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 155µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
117nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
8110pF @ 40V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
214W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO262-3
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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