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DMN61D8LVT-13

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Numero de parte
DMN61D8LVT-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DMN61D8LVT-13.pdf
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Numero de parte
DMN61D8LVT-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
630mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
0.74nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
12.9pF @ 12V
Potencia - max
820mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete del dispositivo del proveedor
TSOT-26

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