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FDPF33N25TRDTU

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Numero de parte
FDPF33N25TRDTU
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CHANNEL 250V TO220F
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FDPF33N25TRDTU.pdf
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Numero de parte
FDPF33N25TRDTU
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CHANNEL 250V TO220F
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
-
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
94 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2135pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
37W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220F (LG-Formed)
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

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