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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single BS107PSTZ

BS107PSTZ

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Numero de parte
BS107PSTZ
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
BS107PSTZ.pdf
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Numero de parte
BS107PSTZ
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
120mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.6V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 Ohm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
85pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
E-Line (TO-92 compatible)
Paquete / Caja
E-Line-3

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