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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single NP90N04VUG-E1-AY

NP90N04VUG-E1-AY

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Numero de parte
NP90N04VUG-E1-AY
Fabricante
Renesas Electronics America
Descripción
MOSFET N-CH TO-252
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
NP90N04VUG-E1-AY.pdf
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Numero de parte
NP90N04VUG-E1-AY
Fabricante
Renesas Electronics America
Descripción
MOSFET N-CH TO-252
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
90A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
135nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
7500pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.2W (Ta), 105W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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