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RD3P050SNTL1

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Numero de parte
RD3P050SNTL1
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
NCH 100V 5A POWER MOSFET
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.34000
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$0.34000

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Numero de parte
RD3P050SNTL1
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
NCH 100V 5A POWER MOSFET
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
530pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
15W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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