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EPC2107ENGRT

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Numero de parte
EPC2107ENGRT
Fabricante
EPC
Descripción
GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
EPC2107ENGRT
Fabricante
EPC
Descripción
GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Característica FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Potencia - max
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
9-VFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor
9-BGA (1.35x1.35)

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