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FF8MR12W2M1B11BOMA1

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Numero de parte
FF8MR12W2M1B11BOMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET MODULE 1200V 150A
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FF8MR12W2M1B11BOMA1.pdf
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Numero de parte
FF8MR12W2M1B11BOMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET MODULE 1200V 150A
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Silicon Carbide (SiC)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
150A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 150A, 15V (Typ)
Vgs (th) (Max) @ Id
5.55V @ 60mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
372nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
11000pF @ 800V
Potencia - max
20mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Caja
Module
Paquete del dispositivo del proveedor
AG-EASY2BM-2

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