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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single RQ3E180AJTB

RQ3E180AJTB

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Numero de parte
RQ3E180AJTB
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
RQ3E180AJTB.pdf
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Numero de parte
RQ3E180AJTB
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
18A (Ta), 30A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 11mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4290pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN

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