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DMN10H099SFG-7

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Numero de parte
DMN10H099SFG-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DMN10H099SFG-7.pdf
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Numero de parte
DMN10H099SFG-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
25.2nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1172pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
980mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerDI3333-8
Paquete / Caja
8-PowerWDFN

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