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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single 2SK2845(TE16L1,Q)

2SK2845(TE16L1,Q)

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Numero de parte
2SK2845(TE16L1,Q)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 900V 1A DP
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
2SK2845(TE16L1,Q).pdf
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Numero de parte
2SK2845(TE16L1,Q)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 900V 1A DP
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
900V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
1A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
350pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
DP
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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