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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single BUK9E1R8-40E,127

BUK9E1R8-40E,127

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Numero de parte
BUK9E1R8-40E,127
Fabricante
NXP Semiconductors
Descripción
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
BUK9E1R8-40E,127
Fabricante
NXP Semiconductors
Descripción
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
120A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 5V
Vgs (Max)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
16400pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
349W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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