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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPW60R090CFD7XKSA1

IPW60R090CFD7XKSA1

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Numero de parte
IPW60R090CFD7XKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
HIGH POWERNEW
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPW60R090CFD7XKSA1.pdf
Total:$8.07000
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$8.07000

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Numero de parte
IPW60R090CFD7XKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
HIGH POWERNEW
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
25A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 570µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2103pF @ 400V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO247-3
Paquete / Caja
TO-247-3

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