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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

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Numero de parte
DMJ70H1D3SH3
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DMJ70H1D3SH3.pdf
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Numero de parte
DMJ70H1D3SH3
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
700V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4.6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
13.9nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
351pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
41W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-251
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak

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