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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXFH6N100F

IXFH6N100F

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Numero de parte
IXFH6N100F
Fabricante
IXYS RF/Littelfuse
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXFH6N100F.pdf
Total:$8.83000
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$8.83000

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Numero de parte
IXFH6N100F
Fabricante
IXYS RF/Littelfuse
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1770pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247 (IXFH)
Paquete / Caja
TO-247-3

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