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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FCPF1300N80ZYD

FCPF1300N80ZYD

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Numero de parte
FCPF1300N80ZYD
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 800V 4A TO220F
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FCPF1300N80ZYD.pdf
Total:$1.11301
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$1.11301

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Numero de parte
FCPF1300N80ZYD
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 800V 4A TO220F
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 400µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
880pF @ 100V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
24W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220F-3 (Y-Forming)
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

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