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SI6562DQ-T1-E3

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Numero de parte
SI6562DQ-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
SI6562DQ-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N and P-Channel
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Potencia - max
1W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-TSSOP

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