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SI1900DL-T1-E3

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Numero de parte
SI1900DL-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SI1900DL-T1-E3.pdf
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Numero de parte
SI1900DL-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
590mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
480 mOhm @ 590mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Potencia - max
270mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor
SC-70-6 (SOT-363)

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