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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IRF6678

IRF6678

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Numero de parte
IRF6678
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRF6678.pdf
Total:$1.83400
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$1.83400

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Numero de parte
IRF6678
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
30A (Ta), 150A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
5640pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
DIRECTFET™ MX
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric MX

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