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RS1E170GNTB

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Numero de parte
RS1E170GNTB
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
RS1E170GNTB
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
17A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
720pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
3W (Ta), 23.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-HSOP
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

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