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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single SUD35N10-26P-GE3

SUD35N10-26P-GE3

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Numero de parte
SUD35N10-26P-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SUD35N10-26P-GE3.pdf
Total:$1.10950
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$1.10950

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Numero de parte
SUD35N10-26P-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
35A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2000pF @ 12V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
8.3W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-252, (D-Pak)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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