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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single NTD14N03RT4G

NTD14N03RT4G

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Numero de parte
NTD14N03RT4G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.16504
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$0.16504

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Numero de parte
NTD14N03RT4G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
2.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
1.8nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
115pF @ 20V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
DPAK
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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