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NTMFD4C86NT1G

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Numero de parte
NTMFD4C86NT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
NTMFD4C86NT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET
Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
11.3A, 18.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
22.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1153pF @ 15V
Potencia - max
1.1W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Paquete del dispositivo del proveedor
8-DFN (5x6)

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