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SIS990DN-T1-GE3

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Numero de parte
SIS990DN-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SIS990DN-T1-GE3.pdf
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Numero de parte
SIS990DN-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
12.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
250pF @ 50V
Potencia - max
25W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerPAK® 1212-8 Dual

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