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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos QJD1210011

QJD1210011

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Numero de parte
QJD1210011
Fabricante
Powerex, Inc.
Descripción
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
QJD1210011.pdf
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Numero de parte
QJD1210011
Fabricante
Powerex, Inc.
Descripción
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Silicon Carbide (SiC)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 10mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
500nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
10200pF @ 800V
Potencia - max
900W
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Caja
Module
Paquete del dispositivo del proveedor
Module

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