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SIA950DJ-T1-GE3

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Numero de parte
SIA950DJ-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
SIA950DJ-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
190V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
950mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
4.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
90pF @ 100V
Potencia - max
7W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerPAK® SC-70-6 Dual

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