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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single RSJ550N10TL

RSJ550N10TL

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Numero de parte
RSJ550N10TL
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
RSJ550N10TL.pdf
Total:$1.89000
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$1.89000

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Numero de parte
RSJ550N10TL
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
55A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.8 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
143nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
6150pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
LPTS
Paquete / Caja
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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