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FDC637BNZ

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Numero de parte
FDC637BNZ
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FDC637BNZ.pdf
Total:$0.11489
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Numero de parte
FDC637BNZ
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
6.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
895pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SuperSOT™-6
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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