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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single AOB4S60L

AOB4S60L

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Numero de parte
AOB4S60L
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
AOB4S60L.pdf
Total:$0.70670
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$0.70670

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Numero de parte
AOB4S60L
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
263pF @ 100V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263 (D²Pak)
Paquete / Caja
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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