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SI3127DV-T1-GE3

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Numero de parte
SI3127DV-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SI3127DV-T1-GE3.pdf
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Numero de parte
SI3127DV-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3.5A (Ta), 13A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
89 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
833pF @ 20V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2W (Ta), 4.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
6-TSOP
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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