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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXFB30N120P

IXFB30N120P

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Numero de parte
IXFB30N120P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXFB30N120P.pdf
Total:$29.71600
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$29.71600

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Numero de parte
IXFB30N120P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
30A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
310nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
22500pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
PLUS264™
Paquete / Caja
TO-264-3, TO-264AA

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