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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FDMC2D8N025S

FDMC2D8N025S

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Numero de parte
FDMC2D8N025S
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 25V 124A 8PQFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FDMC2D8N025S.pdf
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Numero de parte
FDMC2D8N025S
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 25V 124A 8PQFN
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
124A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
Vgs (Max)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4615pF @ 13V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
47W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
Power33
Paquete / Caja
8-PowerWDFN

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