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IXDN602SI

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Numero de parte
IXDN602SI
Fabricante
IXYS Integrated Circuits Division
Descripción
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXDN602SI.pdf
Total:$2.14000
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(En dólares estadounidenses)
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$2.14000

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Numero de parte
IXDN602SI
Fabricante
IXYS Integrated Circuits Division
Descripción
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Estado de la pieza
Active
Configuración dirigida
Low-Side
Tipo de canal
Independent
Número de conductores
2
Tipo de puerta
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Suministro de voltaje
4.5V ~ 35V
Voltaje lógico - VIL, VIH
0.8V, 3V
Corriente - Salida de Pico (Fuente, Fregadero)
2A, 2A
Tipo de entrada
Non-Inverting
Voltaje lateral alto - Máx (Bootstrap)
-
Tiempo de subida / caída (tipo)
7.5ns, 6.5ns
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC-EP

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