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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos QS8J1TR

QS8J1TR

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Numero de parte
QS8J1TR
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
QS8J1TR
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Estado de la pieza
Not For New Designs
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2450pF @ 6V
Potencia - max
1.5W
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Paquete del dispositivo del proveedor
TSMT8

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