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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single AONR21307

AONR21307

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Numero de parte
AONR21307
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción
MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
AONR21307.pdf
Total:$0.24750
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$0.24750

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Numero de parte
AONR21307
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción
MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
24A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1995pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-DFN-EP (3x3)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN

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