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DMTH10H010LCT

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Numero de parte
DMTH10H010LCT
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET 100V 108A TO220AB
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DMTH10H010LCT.pdf
Total:$1.81000
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$1.81000

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Numero de parte
DMTH10H010LCT
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET 100V 108A TO220AB
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
108A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
53.7nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2592pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.4W (Ta), 166W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3

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