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IXFN170N30P

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Numero de parte
IXFN170N30P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXFN170N30P.pdf
Total:$32.19000
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(En dólares estadounidenses)
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$32.19000

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Numero de parte
IXFN170N30P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
300V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
138A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
258nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
20000pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
890W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-227B
Paquete / Caja
SOT-227-4, miniBLOC

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