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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single AOB412L

AOB412L

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Numero de parte
AOB412L
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
AOB412L
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
8.2A (Ta), 60A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3220pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.6W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263 (D²Pak)
Paquete / Caja
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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