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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos ZXMHC10A07T8TA

ZXMHC10A07T8TA

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Numero de parte
ZXMHC10A07T8TA
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
ZXMHC10A07T8TA.pdf
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Numero de parte
ZXMHC10A07T8TA
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Característica FET
Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
1A, 800mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
2.9nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
138pF @ 60V
Potencia - max
1.3W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-223-8
Paquete del dispositivo del proveedor
SM8

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