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TPC8211(TE12L,Q,M)

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Numero de parte
TPC8211(TE12L,Q,M)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
TPC8211(TE12L,Q,M).pdf
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Numero de parte
TPC8211(TE12L,Q,M)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1250pF @ 10V
Potencia - max
450mW
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOP (5.5x6.0)

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